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纵观芯片制造工艺技术 CMOS仍将独领风骚焊锡

发布时间:2019-08-24 16:22:31 来源:元毅五金网

<P><FONT face=Courier size=2>&nbsp;&nbsp; 一位业内技术专家指出,CMOS将在未来的数十年内仍然是芯片工艺技术针对性能和成本的选择。 </FONT></P><FONT face=Courier>

<P><BR></FONT><SPAN class=px14><FONT id=FontSizeSettings4><BR><FONT face=Courier size=2>  </FONT><FONT face=Courier size=2>德州仪器</FONT><FONT face=Courier size=2>(Texas Instruments)</FONT><FONT face=Courier size=2>DSP</FONT><FONT face=Courier size=2>分部首席专家Gene Frantz表示,尽管过去10年里CMOS工艺和设备技术取得巨大进展,硅技术仍然在理论极限以下表现卓越。他相信,硅将继续在许多年内充当前沿的</FONT><FONT face=Courier size=2>半导体</FONT><FONT face=Courier size=2>技术。Frantz表示:“硅仍然是技术首选,并将在成本考虑的许多年内依然如故。”

<P><SPAN class=px14><FONT><FONT face=Courier size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier size=2>  硅晶体管门长的理论极限大约为1.5nm,他指出:“看看当今的65nm CMOS工艺,其最小门长为39nm,这仍然大于理论极限的25倍。”对于门延迟来说情况类似,门延迟决定了逻辑的基本速度。理论极限是0.04ps,短于当今65nm逻辑器件可实现延迟的24倍。 </FONT></P>

<P><FONT face=Courier size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier size=2>  根据晶体管密度,极限是在一片芯片上集成每平方厘米15亿只。这仍然比65nm CMOS器件所实现的大7倍。 </FONT></P>

<P><FONT face=Courier size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier><FONT size=2>  Frantz认为,当CMOS技术接近其极限时,我们可能不能再应用</FONT><FONT size=2>摩尔定律</FONT><FONT size=2>来进行预测。性能不再是时钟速度问题那么简单,而且与结构并行程度有关。</FONT> </FONT></P></FONT></SPAN>

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